Wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) (Doktorandenstelle) (m/w/d) (TVL E13, 75%) im Bereich In-situ Beobachtung und Analyse des Wachstumsprozesses von SiC Einkristallen mithilfe der röntgenbasierten Computertomographie

Das Crystal Growth Lab (Department Werkstoffwissenschaften 6 (i-meet) sucht eine/n

Wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) (Doktorandenstelle) (m/w/d) (TVL E13, 75%) im Bereich In-situ Beobachtung und Analyse des Wachstumsprozesses von SiC Einkristallen mithilfe der röntgenbasierten Computertomographie

Das Aufgabengebiet umfasst u. a.

Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial großer Bandlücke, welches zurzeit den klassischen Halbleiter Silizium im Bereich der Leistungselektronik ablöst. Zusätzlich weist SiC zahlreiche Eigenschaften auf, die neue photonische Anwendungen ermöglichen. Das Crystal Growth Lab an der FAU (Department Werkstoffwissenschaften 6) zählt weltweit zu den führenden Labors auf dem Arbeitsgebiet des Wachstums von SiC Einkristallen.
Die Doktorandenstelle ermöglicht die Mitarbeit in einem Projekt der Deutschen Forschungsgemeinschaft "In-situ Beobachtung und Analyse des Wachstumsprozesses von SiC Einkristallen mithilfe der röntgenbasierten Computertomographie". Zu den Aufgaben gehören: Durchführung von SiC Wachstumsexperimenten. Auswertung der 3D Computertomographie-Daten. Analyse der Wachstumskinetik. Herstellen von Halbleiterscheiben aus den SiC Kristallen. Elektrische, optischen und strukturelle Charakterisierung der Halbleiterscheiben.

Notwendige Qualifikation

Sehr guter Masterabschluss in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Elektrotechnik, Physik oder in einem vergleichbaren Fachgebiet / Sehr gute Deutschkenntnisse in Wort und Schrift / Selbstständiges Arbeiten und Arbeiten als Teil eines interdisziplinären Teams / Positive Einstellung, Freude am Forschen und Finden neuer Lösungsansätze

Wünschenswerte Qualifikation

Prozesstechnologie und/oder Charakterisierung von Halbleitern / Vorkenntnisse im Bereich der Materialsynthese oder im Bereich der spektroskopischen/strukturellen Charakterisierung sind von Vorteil.

Bemerkungen

Die TVL E13 (75%) Stelle ist zunächst auf 18 Monate befristet und wird entsprechend des Fortschrittes der Promotion um weitere 18 bis 30 verlängert. Die typische Promotionsdauer liegt bei 3 bis 4 Jahren.

Bewerbungsschluss
15.02.2022

Detailinformationen

Stellenbezeichnung
Wissenschaftliche(n) Mitarbeiter(in) (Doktorandenstelle) (m/w/d) (TVL E13, 75%) im Bereich In-situ Beobachtung und Analyse des Wachstumsprozesses von SiC Einkristallen mithilfe der röntgenbasierten Computertomographie
Besetzung zum
01.03.2022

Entgelt
TVL-13 (75%) (je nach Qualifikation und persönlichen Voraussetzungen)
Teilzeit / Vollzeit
Teilzeit
Reason for limitation
befristetes Forschungsvorhaben

Kontaktperson für weitere Informationen
Prof. Dr.-Ing. Peter Wellmann
Telefon: 09131 85-27635
E-Mail: peter.wellmann@fau.de
Lehrstuhl für Werkstoffwissenschaften (Materialien der Elektronik und der Energietechnologie)
Martensstr. 7
91058 Erlangen Bayern
Übersicht

Für alle Stellenausschreibungen gilt: Die Friedrich-Alexander-Universität fördert die berufliche Gleichstellung der Frauen. Frauen werden deshalb ausdrücklich aufgefordert, sich zu bewerben.

Schwerbehinderte im Sinne des Schwerbehindertengesetzes werden bei gleicher fachlicher Qualifikation und persönlicher Eignung bevorzugt berücksichtigt, wenn die ausgeschriebene Stelle sich für Schwerbehinderte eignet. Details dazu finden Sie in der jeweiligen Ausschreibung unter dem Punkt "Bemerkungen".

Bei Wunsch der Bewerberin, des Bewerbers, kann die Gleichstellungsbeauftragte zum Bewerbungsgespräch hinzugezogen werden, ohne dass der Bewerberin, dem Bewerber dadurch Nachteile entstehen.

Ausgeschriebene Stellen sind grundsätzlich teilzeitfähig, es sei denn, im Ausschreibungstext erfolgt ein anderweitiger Hinweis.

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