Wissenschaftlicher Mitarbeiter (m/w/d) (TVL 13) - Ammonothermale Kristallzüchtung von (Al,Ga)N

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente sucht eine/n engagierte/n wissenschaftliche/n Mitarbeiter/in. Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente befasst sich mit der angewandten Forschung in den Bereichen Technologie, Fertigung elektronischer Bauelemente und Quantentechnologien.

Die Forschungsziele im Forschungsschwerpunkt Nitrid-Halbleiter umfassen die Synthese und Eigenschaften halbleitender Nitridmaterialien ebenso wie deren Anwendungsmöglichkeiten in elektronischen Bauelementen. Die hier ausgeschriebene Stelle ist Teil des Projekts „Neue Nitridmaterialien für elektronische Bauelemente“, welches von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) über das Emmy Noether-Programm gefördert wird.

Das Aufgabengebiet umfasst

  • Anpassung, Inbetriebnahme und Nutzung von Versuchsaufbauten zur ammonothermalen Kristallzüchtung von Nitrid-Volumenkristallen (AlN, GaN, AlGaN)
  • Prozessentwicklung zur Züchtung und gezielten Dotierung von Nitrid-Volumenkristallen mittels ammonothermaler Synthese
  • Charakterisierung der Kristalle (strukturelle, optische und elektrische Eigenschaften)
  • Analyse der Versuchsergebnisse nicht nur mit dem Ziel der Prozessverbesserung, sondern auch mit dem Ziel, ein vertieftes Verständnis der chemisch-physikalischen Vorgänge zu erlangen
  • Exemplarische Realisierung und Charakterisierung einfacher Bauelemente

Qualifikationen

Notwendige Qualifikationen:

  • Überdurchschnittlich abgeschlossenes Hochschulstudium (Master oder vergleichbar) aus den Bereichen Verfahrenstechnik, Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder verwandter Fachrichtungen, oder ein vergleichbarer Abschluss
  • Fundierte Kenntnisse auf den Gebieten Kristallzüchtung von Halbleitermaterialien und Hochdrucktechnik, oder Interesse sich das nötige Wissen anzueignen
  • Selbständige, sorgfältige und verantwortungsbewusste Arbeitsweise (Arbeit mit Druckgeräten), Eigeninitiative, Kreativität und Durchhaltevermögen beim Erarbeiten von Lösungen für technische und wissenschaftliche Herausforderungen, Bereitschaft zur auch an den Gesamt-Projektzielen orientierten Zusammenarbeit im Team
  • Interesse an wissenschaftlichen Fragestellungen
  • Experimentelles Geschick sowohl bei fein- als auch grobmotorischen Aufgaben
  • Sehr gute Kenntnisse der deutschen Sprache in Wort und Schrift
  • Gute Kenntnisse der englischen Sprache in Wort und Schrift

Wünschenswerte Qualifikationen:

  • Erste Erfahrungen in Konzeption, Aufbau und Betrieb technischer Anlagen
  • Spaß an der Lösung technischer Problemstellungen
  • Interesse, im oben beschriebenen Bereich zu promovieren
  • Interesse, Forschungsergebnisse auf Konferenzen vorzustellen und in Fachzeitschriften zu publizieren

Ergänzende Beschreibung

Wir bieten:

  • Vollzeitstelle TV-L E 13 (befristet auf 3 Jahre, Einstellungstermin bevorzugt vor dem 12.06.2023)
  • Möglichkeit zur Promotion
  • Abwechslungsreiches Aufgabenspektrum mit vielfältigen Lernmöglichkeiten
  • Arbeit in einem jungen Team mit (teils vorhandenen, teils aufzubauenden) weltweit einzigartigen technischen Möglichkeiten, welches bereits über umfassende Expertise und eine hohe nationale und internationale Sichtbarkeit im Forschungsgebiet verfügt
  • Gelegenheit zu interdisziplinärer Zusammenarbeit innerhalb des Teams und in Kooperationen auf lokaler, nationaler und internationaler Ebene

Ergänzende Beschreibung:

Kernziele des Gesamt-Projektes „Neue Nitridmaterialien für elektronische Bauelemente“ sind die Entwicklung ausgewählter neuartiger Nitrid-Halbleiter sowie eines vertieften Verständnisses ihrer Herstellung mittels Ammonothermalsynthese. Das Projekt evaluiert die fundamentalen Eigenschaften ausgewählter, bislang wenig erforschter ternärer Nitride im Hinblick auf Anwendungen in elektronischen Bauelementen. Die Herstellung geeigneter Volumenkristalle erfolgt über die ammonothermale Synthese, wobei neben dem Zugang zu ausgewählten Materialien auch ein vertieftes Verständnis der ammonothermalen Synthese und Dotierung binärer und ternärer Nitride erlangt wird. Die exemplarisch untersuchten Nitride sind heteroepitaktisch miteinander integrierbar und ermöglichen perspektivisch neuartige Kombinationen von Materialeigenschaften in elektronischen Bauelementen.

Kurzbeschreibung der Forschungsziele, die mit der hier ausgeschriebenen Stelle verbunden sind: Aufbauend auf Vorarbeiten zu GaN wird zunächst das Materialsystem GaN-AlN-AlGaN untersucht. Am Beispiel von AlGaN werden Wege zur gezielten Kristallzüchtung ternärer Nitride über einen Transport in der Lösung erarbeitet. Methoden zur gezielten Dotierung und Kontrolle der Leitfähigkeit bei der ammonothermalen Kristallzüchtung werden am Beispiel von AlN untersucht. Durch Einbau von Silizium bei den durch die Ammonothermalsynthese ermöglichten niedrigen Temperaturen soll die Herstellung leitfähiger AlN-Substrate erschlossen werden. Hierdurch könnten erhebliche Verbesserungen in der Energieeffizienz vertikaler leistungselektronischer Bauelemente möglich werden.

Nach dem angegebenen Bewerbungsschluss eingehende Bewerbungen werden bei weiter bestehendem Bedarf ebenfalls berücksichtigt. Genauer Einstellungszeitpunkt nach Absprache.

Anmerkung

Für alle Stellenausschreibungen gilt: Die Friedrich-Alexander-Universität fördert die berufliche Gleichstellung der Frauen. Frauen werden deshalb ausdrücklich aufgefordert, sich zu bewerben.

Schwerbehinderte im Sinne des Schwerbehindertengesetzes werden bei gleicher fachlicher Qualifikation und persönlicher Eignung bevorzugt berücksichtigt, wenn die ausgeschriebene Stelle sich für Schwerbehinderte eignet. Details dazu finden Sie in der jeweiligen Ausschreibung unter dem Punkt "Bemerkungen".

Bei Wunsch der Bewerberin, des Bewerbers, kann die Gleichstellungsbeauftragte zum Bewerbungsgespräch hinzugezogen werden, ohne dass der Bewerberin, dem Bewerber dadurch Nachteile entstehen.

Ausgeschriebene Stellen sind grundsätzlich teilzeitfähig, es sei denn, im Ausschreibungstext erfolgt ein anderweitiger Hinweis.

Veröffentlichungsdatum: 23.01.2023